Наведено результати структурного аналізу кристалічних речовин, проведеного за допомогою дифракції X-променів. Основну увагу приділено динамічній теорії дифракції в багатошаровых структурах. Описано найбільш важливі алгоритми розрахунку динамічної дифракції у випадку двох і більше сильних хвиль. Розглянуто застосування динамічної теорії для таких випадків: нерізкі межі між шарами, анізотропні спотворення структури, побудова карт оберненого простору. Проаналізовано поняття оберненего простору та його зв'язок з явищем дифракції. Розкрито проблеми визначення параметрів досліджуваної структури з експерименту.

Приведены результаты структурного анализа кристаллических веществ, проведенного при помощи дифракции X-лучей. Основное внимание уделено динамической теории дифракции в многослойных структурах. Описаны наиболее важные алгоритмы расчета динамической дифракции в случае двух и более сильных волн. Рассмотрены применения динамической теории для таких случаев: нерезкие границы между слоями, анизотропные искажения структуры, построение карт обратного простанства. Проанализированы понятие обратного пространства и его связь с явлением дифракции. Раскрыты проблемы определения параметров исследованной структуры из эксперимента.

З аналізу розподілу інтенсивності дифузно розсіяних рентгенівських променів в оберненому просторі одержано інформацію про перехід від 2D- до 3D-структур у багатошарових зразках SiGe. Показано, що слабкоскорельовані квантові точки, що дають внесок у формування латеральних сателітів, мало впливають на формування когерентної сателітної структури. При цьому істотним залишається їх вплив на розподіл полів деформацій у шарах надгратки. Це проілюстровано застосуванням методу двовимірних карт розподілу інтенсивності навколо вузла оберненої гратки до періодичних Si/SiGe-надграток з різною товщиною шару германію (4 або 7 моношарів), а також до періодичних SiGe-точок, вбудованих у кремній.

Проведено комплексні дослідження механізмів дифракції X-променів у багатошарових структурах. Розроблено метод розрахунку багатохвильової дифракції у планарних багатошарових структурах і показано його практичне застосування для інтерпретації експериментальних даних. Метод базується на розв'язку рівнянь Максвелла для плоских X-хвиль без спрощень і може бути застосованим для довільної геометрії дифракції (відбиття чи проходження) і довільного кутового діапазону. Наведено приклади застосування методу для аналізу експериментальних кривих дифракційного відбиття (КДВ), кривих дзеркального відбиття, ренінгерівського сканування та карт оберненого простору. Розв'язано дисперсійне рівняння для 2-х, 3-х, 4-х та N-хвильової дифракції з урахуванням ефекту поглинання та різних геометрій дифракції, побудовано дисперсійні поверхні для цих випадків. З'ясовано причини та шляхи уникнення проблем чисельних розрахунків у випадку багатохвильової дифракції. Проаналізовано вплив на КДВ градієнту складу на межі шарів. Показано, що найбільш адекватно криві відбиття для досліджених зразків описуються гіперболічним законом градієнта на межі шарів InGaAs/GaAs. Проведено аналіз КДВ з застосуванням методів автофітування. Запропоновано методику контролю структури шарів шляхом вимірювання азимутальних залежностей КДВ, що дозволяє визначити параметри анізотропної деформації кристалічної гратки.